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BSS127
500
200
180
R DS(ON) ( Ω ) Ave @ I D = 20mA
400
300
200
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.005 0.01 0.015 0.02 0.025
0
2
3
4 5 6 7 8 9
10
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7 Typical On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
50
10
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8 Typical Transfer Characteristic
45
40
35
30
25
20
15
10
f = 1MHz
C ISS
8
6
4
2
V DS =25V, I D =250mA
5
C RSS
C OSS
0
0
5
10 15 20 25 30 35
40
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9 Typical Junction Capacitance
1
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.7
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
0.001
D = 0.9
Q G - (nC)
Figure 10 Gate Charge Characteristics
R θ JA (t)=r(t) * R θ JA
R θ JA =164C/W
Duty Cycle, D=t1/ t2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Figure 11 Transient Thermal Resistance
BSS127
Document number: DS35476 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2013
? Diodes Incorporated
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